速度惊人!三星UFS 3.0标准3D闪存颗粒量产

2017-06-15 17:13来源:本站整理 编辑:小雨

三星宣布成功量产3D闪存颗粒,这也是下一代UFS 3.0标准,带宽速率高达1Gbps,是目前业界最快,而竞争对手东芝和海力士也在近期开始出货,未来5年内有望普及UFS 3.0以及TB容量级固态硬盘

三星此次开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。

速度惊人!三星UFS 3.0标准3D闪存颗粒量产

其实在今年1月,三星已经向关键的大客户出货采用64层 V-NAND介质的SSD产品,如今半年过去,产能扩充,消费级用户可以顺利用上了。

新的闪存芯片将用于生产手机UFS存储、PC/服务器固态盘、外置存储卡等产品。

三星强调,新一代64层V-NAND的带宽速率高达1Gbps,是目前业界最快,是上一代48层3bit的1.5倍。

另外,在功耗方面,电压从3.3V降低到2.8V,说明工艺改良了不少,漏电极大减少,从而使效能提升30%。

竞争对手方面,东芝的64层也已经少量出货,SK海力士计划在今年底量产更激进的72层产品。不过,三星强调,作为一哥和3D NAND的始创者,它们有信心继续保持领先,并在年底前将64层闪存的产能覆盖到月度总量的50%以上。